材料特点：
无压烧结碳化硅（SSiC）是以高纯度的碳化硅（SiC）微粉（为原料，经过成型（干压、注浆或等静压）后，在常压惰性气体保护的高温炉中（烧结温度约2100-2200℃）进行致密化烧结。该工艺能够制备出接近理论密度（>98%）、显微结构均匀、无游离硅残留的高性能陶瓷，产品硬度极高，耐腐蚀、抗氧化且耐磨性优异，广泛应用于工业窑炉、电子材料及半导体等行业。
产品信息：
无压烧结碳化硅方梁采用冷等静压成型工艺结合高温无压烧结技术，或通过挤出成型制备高精度坯体再经致密化烧结，确保梁体截面密度均匀、平直度优异，在长期高温使用条件下具有不弯曲、不变形、抗热震稳定性高的突出特点。
性能参数：
体积密度≥3.10 g/cm³，显气孔率＜0.1%，常温抗弯强度≥400 MPa，最高使用温度1650℃
产品尺寸：
常规方梁产品高*宽规格覆盖 30mm*30mm 至110mm*110mm，长度 1500mm 至 4500mm，壁厚 5mm 至 10mm。可进行平面磨削、端部精加工、定位钻孔、开槽、榫接及螺纹加工等再加工工艺。
优康工陶也可根据客户具体图纸及要求定制。
产品应用：
无压烧结碳化硅方梁广泛应用于锂电池正负极材料辊道窑的支撑横梁、电子陶瓷与特种陶瓷烧成炉的承重梁架、磁性材料高温热处理线的窑车支柱、高温气氛保护炉的炉膛结构件等，作为高温重载条件下的核心承力与支撑构件。