材料特点：
无压烧结碳化硅（SSiC）是以高纯度的碳化硅（SiC）微粉为原料，经过成型（干压、注浆或等静压）后，在常压惰性气体保护的高温炉中（烧结温度约2100-2200℃）进行致密化烧结。该工艺能够制备出接近理论密度（>98%）、显微结构均匀、无游离硅残留的高性能陶瓷，产品硬度极高，耐腐蚀、抗氧化且耐磨性优异，广泛应用于工业窑炉、电子材料及半导体等行业。
产品信息：
无压烧结碳化硅承载圆盘采用冷等静压成型工艺结合高温无压烧结技术，确保盘体径向与轴向密度均匀、端面平行度高且平面度优异。产品在长期高温使用及重载堆叠条件下具有不翘曲、不蠕变、抗热震稳定性高的突出特点，是高温烧结制程中理想的承烧与隔离平台。
性能参数：
体积密度 ≥ 3.10 g/cm³，显气孔率 ＜ 0.1%，常温抗弯强度 ≥ 400 MPa，最高使用温度 1650℃
产品尺寸：
常规承载圆盘产品直径规格覆盖 150mm 至 500mm，厚度范围 5mm 至 30mm。可进行双端面精密磨削、外圆精加工、定位沉孔、通气孔阵列加工、边缘开槽及异形轮廓切割等再加工工艺。
优康工陶也可根据客户具体图纸及特殊外径、台阶厚度要求进行定制。
产品应用：
无压烧结碳化硅承载圆盘广泛应用于半导体晶圆热处理炉的晶舟支撑托盘、粉末冶金与MIM脱脂烧结炉的码放隔板、电子陶瓷排胶烧结工序的承烧垫板、高温真空炉内的隔热承载平台，以及LED衬底与先进陶瓷基板烧成环节的精密载具，作为高温重载及高平面度要求下的核心承烧与工装构件。